罗博士在Si衬底上III族氮化镓（GaN）外延生长以及电子功率器件的研究有丰富经验。近年来采用量产型MOCVD设备生长制备了Si衬底上GaN材料，完成了2寸、4寸、6寸以及8英寸衬底上高质量GaN生长的技术开发，并在其基础上完成了HEMT电力电子器件的产业化生长技术研发，包括器件结构设计、材料生长、性能表征等。他先后承担和参与了国家“863”计划课题、国家自然科学基金、中国博士后科学基金、关键领域重点突破招标项目、重大科技专项等多项国家和地方各类科技计划项目。罗博士取得中山大学博士学位，北京大学博士后学位。他曾在东莞市中镓半导体科技有限公司任电子功率器件事业部经理。
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